閱讀排名更多
-
國家統(tǒng)計局：2025年7月中國經(jīng)濟穩(wěn)中有進 新動能持續(xù)壯大7月中國經(jīng)濟仍保持穩(wěn)中有進態(tài)勢，生產(chǎn)需求持續(xù).... 2“十四五” 能源高質(zhì)量發(fā)展交出亮眼答卷：供應(yīng)足、轉(zhuǎn)型快、創(chuàng)新強、福祉廣
推薦展會更多
近日，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系副教授姜俊敏團隊在高密度直流電壓變換器芯片方面取得系列研究進展，相關(guān)成果分別發(fā)表在IEEE Transactions on Power Electronics (TPEL)、IEEE Transactions on Circuits and Systems I:Regular Papers (TCAS-I)、2025 IEEE Custom Integrated Circuits Conference(CICC)。 
賦能MicroLED的高效率、快速動態(tài)響應(yīng)的負(fù)壓直流降壓變換器
圖1.負(fù)壓降壓變換器的應(yīng)用示意圖
該研究成果成功應(yīng)用于MicroLED等先進顯示屏幕供電場景，以“Design and Analysis of a Hybrid Inverting Buck Converter with 5μs Response Time and 92.9?ficiency for Micro-LED Displays”為題發(fā)表在集成電路設(shè)計領(lǐng)域頂級期刊IEEE Transactions on Power Electronics(TPEL)。
如圖1所示，隨著顯示屏幕像素分辨率的提升，單像素尺寸由大于1mm縮小為數(shù)十μm，發(fā)光二極管(LED)的開啟電壓也由大于10V顯著下降至4 V以內(nèi)。為采用低壓驅(qū)動器件以保證顯示屏的刷新速度，顯示屏的供電電壓需要盡可能低，因此LED的開啟電壓由負(fù)壓電源提供。傳統(tǒng)的負(fù)壓電源變換器大多面向更高壓降的OLED，多為負(fù)壓升降壓(IBB)或負(fù)壓升壓變換器，由于拓?fù)涞南拗齐y以獲得快速的動態(tài)響應(yīng)，且電壓變換比較大，嚴(yán)重限制了在先進MicroLED顯示中的應(yīng)用。
圖2.課題組提出的混合型負(fù)壓降壓(HIB)轉(zhuǎn)換器拓?fù)?br />
針對這一技術(shù)瓶頸，研究團隊提出混合型負(fù)壓降壓(HIB)轉(zhuǎn)換器，創(chuàng)新性地將−1×開關(guān)電容(SC)與降壓轉(zhuǎn)換器集成，如圖2所示，僅需三個功率開關(guān)、一個飛跨電容和一個電感，該拓?fù)鋵崿F(xiàn)了3至4V輸入電壓下，-1至-2 V的可調(diào)負(fù)輸出電壓。與傳統(tǒng)的反相降壓-升壓(IBB)和Cuk轉(zhuǎn)換器相比，該設(shè)計具有三個優(yōu)勢：1.體積更小，功率級拓?fù)鋬H需兩個片外器件；2.輸出電流連續(xù)，能夠?qū)崿F(xiàn)遠超傳統(tǒng)方案的負(fù)載動態(tài)響應(yīng)；3.拓?fù)洳淮嬖谟野肫矫媪泓c，極大簡化了環(huán)路補償?shù)脑O(shè)計。
圖3.(a)芯片與(b)測試和PCB照片
圖3展示了HIB芯片的照片，該芯片實現(xiàn)了在3至4V的輸入電壓下，輸出-1至-2 V的輸出電壓，最高2.2 A的輸出電流，92.9%的峰值效率，高達295mW/mm3的體積功率密度，以及低至5μs的動態(tài)響應(yīng)時間。
南方科技大學(xué)電子與電氣工程系2025屆畢業(yè)生顏興發(fā)和劉剛為共同第一作者，南方科技大學(xué)為論文第一單位，姜俊敏副教授、胡琛研究助理教授和香港中文大學(xué)劉尋助理教授為共同通訊作者。
創(chuàng)新提出單級四相位混合升壓轉(zhuǎn)換器架構(gòu)
圖4.光伏板直接驅(qū)動激光傳感器的應(yīng)用示意圖
該研究聚焦于激光雷達驅(qū)動，相關(guān)成果以“A Single-Stage Four-Phase Hybrid Boost Converter With 11-to-20 VCRs for LiDAR Driver Applications”為題發(fā)表在IEEE Transactions on Circuits and Systems I:Regular Papers(TCAS-I)。
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備的廣泛應(yīng)用，高效電源管理系統(tǒng)成為延長設(shè)備壽命、降低維護成本的關(guān)鍵所在。以光伏板驅(qū)動的激光傳感器為例，傳統(tǒng)解決方案采用兩級升壓轉(zhuǎn)換器架構(gòu)，系統(tǒng)效率通常低于70%，且體積大、成本高的缺陷明顯。為了實現(xiàn)單級升壓以提升系統(tǒng)效率，近年來，學(xué)界對高升壓比的單級升壓變換器拓?fù)溟_展了一系列研究，然而現(xiàn)有研究大多基于兩相位的工作模式，升壓變換比受到嚴(yán)重限制，通常需要超過5個飛跨電容以獲得10-20倍的升壓比，難以滿足實際需求。
圖5.變換器工作模式與電壓電流波形示意圖
為了提高升壓變換器拓?fù)涞墓β拭芏龋芯繄F隊創(chuàng)新性地提出了一種單級四相位混合升壓轉(zhuǎn)換器架構(gòu)，僅需三個飛跨電容和一個電感，即可實現(xiàn)11-20倍的電壓轉(zhuǎn)換比(VCR)，成功將1.2-1.8V的光伏電壓提升至LiDAR所需的20-24V工作電壓。圖5展示了研究團隊所提出的變換器拓?fù)涞墓ぷ髂Ｊ剑齻€電容在四個相位之間切換，從而實現(xiàn)十倍的升壓比，這也是三個電容所能實現(xiàn)的最大升壓比；同時，通過引入開關(guān)電感，實現(xiàn)可調(diào)輸出電壓并降低開關(guān)電容的充放電損耗。相比于傳統(tǒng)的Boost型升壓變換器，該拓?fù)淇梢越档图s55%的平均電感電流和52%的電感電流紋波，極大降低了對電感體積的需求。
圖6.芯片與PCB照片
該芯片采用0.18μm工藝制造，芯片面積僅2.23mm²，在1.2-1.8V輸入電壓下實現(xiàn)了20至24V的輸出電壓，升壓比達到11-20，并獲得76.7%的峰值效率和12mW/mm3的功率密度，在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)突出。
南方科技大學(xué)電子與電氣工程系研究助理教授胡琛為論文第一作者，南方科技大學(xué)為論文第一單位，姜俊敏為通訊作者。
提出寬輸出范圍的SC Sigma變換器架構(gòu)和芯片設(shè)計
研究團隊在高壓高速度無電感升壓芯片的設(shè)計方面取得重要突破，相關(guān)成果以“A 6.87W 3.7-5V Input 12.6-24V Output Switched-Capacitor Sigma Converter with Multiple Voltage Domains”為題發(fā)表在集成電路頂會2025 IEEE Custom Integrated Circuits Conference(CICC)。
高速度和高密度的直流升壓變換器在顯示和傳感等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)的Boost變換器中的功率電感限制了系統(tǒng)的功率密度和響應(yīng)速度。研究團隊在2024年集成電路的旗艦會議上提出了Sigma型開關(guān)電容(SC)升壓變換器，在功率密度和輸出響應(yīng)上取得了突破，然而由于固定輸出電壓，其應(yīng)用范圍受到較大限制。
圖7.寬輸出電壓范圍的SC Sigma變換器
為了解決固定變比的開關(guān)電容輸出范圍較窄這一關(guān)鍵問題，本研究提出了寬輸出范圍的SC Sigma變換器架構(gòu)和芯片設(shè)計。芯片架構(gòu)如圖7所示，由輸出電壓高壓側(cè)的可重構(gòu)開關(guān)電容和低壓側(cè)的高帶寬LDO疊加得到。開關(guān)電容的輸出電壓可以在3×/4×輸入電壓之間切換，LDO的輸入電壓又可以在1×/0.5×之間切換，因此該架構(gòu)相比于ISSCC2024中采用的固定變比的開關(guān)電容變換器，輸出電壓的范圍拓寬10倍以上。同時，低壓側(cè)的LDO可以提供快速和高精度的輸出電壓穩(wěn)壓能力，兼顧寬范圍與高性能。
圖8.功率級工作原理及輸出電壓拓寬效果示意圖
芯片功率級電路的工作原理如圖8所示，開關(guān)電容在3相位工作時，可以獲得4倍升壓，在2相位工作時，可以獲得3倍升壓。加上LDO的連續(xù)可變的電壓調(diào)節(jié)能力，最終該芯片的輸出電壓可達12.6-24 V，是ISSCC2024上提出的Sigma型開關(guān)電容(SC)升壓變換器的10.4倍。
圖9.芯片及PCB照片
此芯片設(shè)計在0.18μm工藝下的流片驗證，在3.7-5V的輸入電壓、0-300mA的輸出電流下實現(xiàn)了6.87W的最大輸出功率，并在輸出4.18 W下獲得了95%的峰值效率。同時，0-200mA的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)時間低至350ns，功率密度高達179mW/mm3。
南方科技大學(xué)電子與電氣工程系訪問學(xué)生朱凌峰為該論文第一作者，南方科技大學(xué)為論文第一單位，姜俊敏副教授為通訊作者。
版權(quán)與免責(zé)聲明：1.凡本網(wǎng)注明“來源：化工機械設(shè)備網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工機械設(shè)備網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源（非化工機械設(shè)備網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或和對其真實性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)新聞
-
創(chuàng)新涌現(xiàn)，規(guī)模再升級！NEPCON ASIA 2025亞洲電子展10月28-30日深圳國際會展中心邀您共襄盛舉
10月28-30日，NEPCON ASIA 2025亞洲電子展誠邀您于深圳國際會展中心(寶安)共襄盛舉。- 2025-09-11 11:21:34
- 19522
-
北京大學(xué)集成電路學(xué)院/集成電路高精尖創(chuàng)新中心楊玉超團隊在物理不可克隆存內(nèi)計算研究中取得重要進展
該工作首次實現(xiàn)了片上集成的物理不可克隆存內(nèi)計算，并提出針對邊緣端存內(nèi)計算神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速計算的新型編碼方案，能夠在低硬件開銷下實現(xiàn)對神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入、權(quán)重和結(jié)構(gòu)信息的保護。- 2025-09-11 11:21:34
- 17307
-
科研人員發(fā)展出新型聚合物半導(dǎo)體交聯(lián)劑
中國科學(xué)院化學(xué)研究所張德清課題組在前期成果的基礎(chǔ)上，發(fā)展了側(cè)鏈末端含氟代芳基疊氮的新型聚合物半導(dǎo)體交聯(lián)劑，研究為光刻加工柔性集成電路提供了可能的材料設(shè)計思路。- 2025-09-11 11:21:34
- 19163
昵稱 驗證碼 請輸入正確驗證碼
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)